电工学（下）（A卷 闭卷）

《电工学》（下）（A卷 闭卷）一、单项选择题（共12小题，每小题1分，共12分）
1、 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 [ ]
　　　A．温度 B．掺杂工艺的类型
　　　C．杂质浓度 D．晶体中的缺陷
2、当稳压管在正常稳压工作时，其两端施加的外部电压的特点为 。 [ ]
　　A 反向偏置但不击穿 B 正向偏置但不击穿
C 反向偏置且被击穿 D 正向偏置且被击穿
3、双极型晶体管工作在饱和区的偏置条件是 [ ]
　　　A．发射结正偏；集电结正偏 B．发射结正偏；集电结反偏
　　　C．发射结反偏；集电结正偏 D．发射结反偏；集电结反偏
4、下列对场效应管的描述中，不正确的是 [ ]
A 场效应管具有输入电阻高，热稳定性好等优点；
　　　B 场效应管的两种主要类型是MOSFET和JFET；